Gentec-EO QS5-H離散熱釋電傳感器描述：

數(shù)據(jù)表(中) 數(shù)據(jù)表(EN)

Gentec-EO QS5-H具有金屬涂層的離散熱釋電傳感器。高平均功率。

熱釋電感溫探測(cè)器

我們的熱釋電探測(cè)器是一種室溫感溫探測(cè)器，暴露于輻射源時(shí)，其電流輸出與溫度的變化率成正比。其輸出電流由方程式 I = p(T)·A·dT/dt 決定，其中 I 是電流，p(T) 是熱釋電系數(shù)，A 是前電極所定義的面積，dT/dt 是熱釋電晶體的溫度變化率。相比于其他紅外探測(cè)器，熱釋電探測(cè)器的優(yōu)點(diǎn)在于：室溫操作、廣譜響應(yīng)、高靈敏度 (D*) 和快速響應(yīng)（亞納秒內(nèi)達(dá)到 50Ω負(fù)載）。

QS-L 和 QS-H 離散熱釋電探測(cè)器

我們的被動(dòng)式離散熱釋電探測(cè)器直徑在 1 至 9 mm 之間，提供兩種配置：高靈敏度或高平均功率。其熱釋電探測(cè)器原件由金屬涂層 (MT) 覆蓋，并封裝在微型 TO-5 或 TO-8 罐內(nèi)。左圖所示為兩種探測(cè)器的引腳。我們的有機(jī)黑涂層 (BL) 增強(qiáng)了光學(xué)吸收，有助于平坦化光譜響應(yīng)。我們還提供多種可加入 TO 罐內(nèi)的性紅外窗口。這些離散熱釋電探測(cè)器適用于脈沖激光應(yīng)用。

QS-IF 和 QS-IL 電流模式混合型熱釋電探測(cè)器

此類探測(cè)器提供高增益 (>105 V/W) 和/或高帶寬 (>10 MHz)。在這一配置下，熱釋電傳感器元件與低噪聲運(yùn)算放大器相結(jié)合。QS-IL 型號(hào)設(shè)計(jì)用于在低中頻率下獲得高性能，而 QS-IF 型號(hào)則在中高頻率下提供高性能。這些探測(cè)器非常易于使用。只需為運(yùn)算放大器接通 +/- 10 至 15 V 的電源并添加一個(gè)外部電阻器（如有必要）以調(diào)節(jié)帶寬，您便可以測(cè)量從 nJ 到 mJ 以及從 nW 到 W 的脈沖、調(diào)制或斬波源。同時(shí)，此類探測(cè)器對(duì)任何類型的帶寬分析儀器或激光測(cè)量產(chǎn)品都非常適用。

電壓輸出 VS頻率

我們的 QS-VL 和 QS-IL 混合型探測(cè)器設(shè)計(jì)以較低的頻率在很大程度上提高電壓輸出，因此，探測(cè)器內(nèi)包含電阻值在 100 GΩ 至 300 GΩ 范圍內(nèi)的負(fù)載和反饋電阻。同時(shí)，此類探測(cè)器使用 8 引腳 TO 封裝，允許安裝“外部電阻器”以降低輸出并增加帶寬。左邊所示電路圖為 QS5-IL 探測(cè)器（帶 MT 涂層）的典型試驗(yàn)接線圖。另一方面，我們的 QS-IF 系列設(shè)計(jì)用于高帶寬應(yīng)用，因而內(nèi)含一個(gè)較小的 100 MΩ 反饋電阻。

功率測(cè)量模式下的操作

如果您使用我們的 QS-IL 混合型探測(cè)器測(cè)量您的 CW 或高重復(fù)頻率源（準(zhǔn) CW）的功率（以瓦特為單位），那么需要使用一個(gè)光斬波器。左圖所示為 QS5-IL 與我們的 QS-I-TEST 評(píng)估測(cè)試盒配合使用時(shí)的典型電壓輸出。請(qǐng)注意，電壓輸出大致呈“方波”形，其上升和下降次數(shù)由電路的 RC 時(shí)間常數(shù)決定。光功率與峰值電壓和基準(zhǔn)電壓之差成正比。在該模式下操作時(shí)，我們會(huì)對(duì)這些設(shè)備進(jìn)行校準(zhǔn)。

緊急測(cè)量模式下的操作

如果您需要在全光譜范圍內(nèi)測(cè)量脈沖激光從 nJ 到 mJ 的性能，那么我們的熱釋電探測(cè)器是您的理想選擇！左圖的示波器軌跡為 QS9-IL 與作為積分焦耳計(jì)的 QS-I-TEST 配合使用時(shí)的典型輸出。請(qǐng)注意，該軌跡很快上升到峰值，然后較為緩慢地下降，這一軌跡由為積分電路選擇的 RC 時(shí)間常數(shù)決定。在這一配置下，您可以測(cè)量絕對(duì)脈沖能量、重復(fù)頻率和脈沖穩(wěn)定性。源的最大脈沖寬度由您選擇的 RC 時(shí)間常數(shù)決定，脈沖可以非常短！

廣譜響應(yīng)

與光導(dǎo)和光電探測(cè)器不同，我們的熱釋電感溫探測(cè)器不局限于電磁頻譜的一小部分。它們是真正的廣譜探測(cè)器，靈敏度在 0.1 μm 至 3000 μm（遠(yuǎn)紫外、遠(yuǎn)紅外和太赫）之間。我們的涂層或熱釋電晶體所吸收的任何輻射都將產(chǎn)生可測(cè)量的信號(hào)。左圖中的兩條曲線所示為涂有 MT 涂層和 BL 涂層的探測(cè)器的相對(duì)光譜響應(yīng)。請(qǐng)注意，根據(jù)可靠文獻(xiàn)，這些曲線的 NIST 溯源校準(zhǔn)部分在 0.25 μm 至 15 μm 之間。對(duì)于大于 15 μm 的測(cè)量，目前沒有可追溯的光學(xué)標(biāo)準(zhǔn)。

主要特性

光譜響應(yīng)寬

0.1 至 1000 μm

3個(gè)產(chǎn)品系列可供選擇：

QS-L:離散的熱釋電探測(cè)器，噪聲低

QS-H:離散的熱釋電探測(cè)器，平均功率高

QS-IL:混合的熱釋電探測(cè)器，電流模式，噪聲低

易于集成的格式

TO5 和 TO8 封裝使QS-H 探測(cè)器體積小，易于集成到現(xiàn)有系統(tǒng)中。

大面積傳感器

5 mm 和 9 mm 直徑的熱釋電傳感器使光學(xué)校準(zhǔn)更容易

有多種紅外視窗可供選擇

石英： 0.2 – 3.5 μm

氟化鋇：0.2 – 17.5 μm

藍(lán)寶石：0.1 – 7.0 μm

硅：1.2 – 9.0 μm 和 22 – 100 μm

氬鍺：1.8 – 23 μm（10.6μm峰值）

產(chǎn)品規(guī)格